光刻机这个领域，有且只有一个霸主，那就是ASML。全球能造先进芯片光刻机的公司，掰着手指头数就它一家。台积电要造3nm芯片，找ASML买设备。三星要造2nm芯片，也找ASML买设备。英特尔要造18A芯片，还是找ASML买设备。连苹果、英伟达、AMD这些站在产业链顶端的芯片设计公司，最终也得靠ASML的光刻机来把设计变成实物。

而全球光刻机市场份额，ASML一家占了95%。这种垄断地位，不是靠营销吹出来的，是几十年技术积累、巨额研发投入和全球顶级供应链绑定的结果。总而言之，在光刻机这个赛道上，ASML说了算。

不过ASML也有烦恼

虽然ASML实力很强，但它也不是没有烦恼。它花了巨资研发的下一代High-NA EUV光刻机能够生产0.5nm的芯片，但这种光刻机单台售价高达3.5亿到4亿美元，比之前的EUV光刻机直接翻了一倍，所以台积电、三星等厂并没有太大的购买欲望。

2026年4月的时候，台积电高管张晓强就公开表态：2029年前不会采购High-NA EUV用于量产，顶多买几台做研发。他给出的理由很直接，那就是太贵了，不划算。台积电认为现有的Low-NA EUV加上多重曝光后，它的2nm工艺良率已经能到60%到70%，做到1.4nm也够用。

更麻烦的是，High-NA EUV还有一个先天缺陷。为了提升分辨率，它的数值孔径从0.33提升到0.55，分辨率确实提升了70%，但单次曝光覆盖面积缩水了将近一半。现在AI芯片的面积动辄800平方毫米，用High-NA EUV来造的话必须分两次曝光再拼接，不仅拉低产能，还会在芯片表面留下物理接缝。一台4亿美元的机器，产能不如旧设备，覆盖面积还缩水一半，台积电凭什么卖？

ASML联手三大巨头推进EUV光刻机升级

虽然ASML很着急，但它没有降价，也没有求着台积电买。它的做法是联合台积电推动整个行业升级光掩模。近日，ASML和台积电联合宣布，把沿用了数十年的6英寸光掩模升级到12英寸。什么是光掩模呢？你可以把它理解成芯片制造的母版，光刻机用光照射这块母版，把电路图案转移到硅晶圆上。现在的6英寸光掩模单次曝光面积有限，造大芯片需要进行拼接。如果升级到12英寸呢？单次曝光面积直接扩大四倍，恰好High-NA EUV能把扩大四倍带来的视场缺陷完美弥补了。

ASML首席技术官给出了一个关键数字，如果12英寸光掩模技术成功落地，那么High-NA EUV的产能有望提升约40%。换言之，虽然High-NA EUV价格比普通EUV光刻机贵了一倍，但单位产出比普通EUV光刻机提高了一半。这样算下来，High-NA EUV性价比也不算低了。

这就直接戳到了台积电的痛点，台积电不是嫌High-NA EUV技术不行，是觉得投入产出比不够。现在High-NA EUV产能提升40%了，这笔账就能算过来了。果然，台积电的态度就变了，它表示将在2030年大规模使用High-NA EUV。除了台积电，三星也宣布2028年将High-NA EUV用于DRAM大规模生产，英特尔更是早在2024年就已经在用了。自此，全球三大芯片制造商全部入局High-NA EUV，目标直指0.5nm工艺芯片。

这时候你再看看我们这边，心情就复杂了

国内唯一能做半导体前道光刻机的企业是上海微电子，其量产的产品是90nm干式DUV光刻机。90nm光刻机经过多次曝光，理论上可以造出等效7nm的芯片，并且中芯国际采用DUV加自对准四重图形化路径确实实现了等效5nm的特征尺寸。但这种方案存在曝光次数越多，良率低，成本高等各种问题。虽然它也能做先进工艺的芯片，但做不了大规模量产，所以就无法进行商业化竞争了。

目前上海微电子也在推进28nm浸没式DUV光刻机，2025年交付了首台样机，正在中芯国际验证。但即便是28nm机型，每小时只能处理10片晶圆，ASML同期机型可以做到170片，二者产能差了17倍。至于EUV光刻机，国内还处于原型机阶段，尚未制造出可用芯片。

你把两边的情况放在一起看，差距就非常明显了。ASML联合三大巨头，让High-NA EUV产能提升40%，目标是0.5nm。而国内光刻机还在从90nm向28nm攀登，更先进的制程还看不到明确的时间表。这不是差距，而是鸿沟。而且ASML联合三大巨头这步棋一走，这个鸿沟还在继续拉宽。如果12英寸光掩模升级成功，High-NA EUV的性价比问题一解决，0.5nm芯片的量产就会成为现实。而到了那个时候，我们可能还在攻克28nm浸没式光刻机的稳定量产。

四大巨头联手把制程推进到0.5nm，这不是简单的技术升级，而是在先进制程的赛道上又砌了一道更高的墙。这道墙越高，后来者翻过去的难度就越大。我国光刻机和ASML差距越来越大吗？至少从光刻机这个维度来看确实如此。